#1 |
数量:223624 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:223624 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:18561 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
频率转换 | 650MHz |
噪声系数(dB的典型@ F) | - |
增益 | - |
功率 - 最大 | 225mW |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 60 @ 4mA, 10V |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 50mA |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SOT-23 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 25 V |
集电极最大直流电流 | 0.05 A |
最小直流电流增益 | 60@4mA@10V |
最大工作频率 | 650(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.4mA@4mA V |
最大集电极基极电压 | 30 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 225 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 0.05 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-23 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 225 |
最大基地发射极电压 | 3 |
Maximum Transition Frequency | 650(Min) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 30 |
供应商封装形式 | SOT-23 |
最大集电极发射极电压 | 25 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 50mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 650MHz |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
功率 - 最大 | 225mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 60 @ 4mA, 10V |
其他名称 | MMBTH10FSTR |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 3 V |
零件号别名 | MMBTH10_NL |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | Transistors RF Bipolar |
直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
单位重量 | 0.002116 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 25 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.05 A |
系列 | MMBTH10 |
功率耗散 | 225 mW |
最低工作温度 | - 55 C |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.05 A |
集电极 - 基极电压 | 30 V |
集电极 - 发射极电压 | 25 V |
发射极 - 基极电压 | 3 V |
频率(最大) | 650 MHz |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOT-23 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 60 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 650 MHz |
集电极电流(DC ) | 0.05 A |
直流电流增益 | 60 |
频率 - 跃迁 | 650MHz |
晶体管类型 | NPN |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 4mA, 10V |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
功率 - 最大值 | 225mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 25V |
宽度 | 1.3 mm |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
直流电流增益hFE最大值 | 60 at 4 mA at 10 V |
长度 | 2.92 mm |
工作频率 | 650 MHz |
增益带宽产品fT | 650 MHz (Min) |
身高 | 0.93 mm |
集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
Pd - Power Dissipation | 225 mW |
技术 | Si |
associated | 80-4-5 |
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